NVTFS5116PLTAG
NVTFS5116PLTAG
Número de pieza:
NVTFS5116PLTAG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15645 Pieces
Ficha de datos:
NVTFS5116PLTAG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-WDFN (3.3x3.3)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:52 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.2W (Ta), 21W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:NVTFS5116PLTAG-ND
NVTFS5116PLTAGOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:23 Weeks
Número de pieza del fabricante:NVTFS5116PLTAG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1258pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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