NVTFS4C06NWFTWG
NVTFS4C06NWFTWG
Número de pieza:
NVTFS4C06NWFTWG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 71A U8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18572 Pieces
Ficha de datos:
NVTFS4C06NWFTWG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-WDFN (3.3x3.3)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4.2 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.1W (Ta), 37W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:23 Weeks
Número de pieza del fabricante:NVTFS4C06NWFTWG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1683pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 21A (Ta) 3.1W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 71A U8FL
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Ta)
Email:[email protected]

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