NVTFS4823NTAG
NVTFS4823NTAG
Número de pieza:
NVTFS4823NTAG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14880 Pieces
Ficha de datos:
NVTFS4823NTAG.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NVTFS4823NTAG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NVTFS4823NTAG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar NVTFS4823NTAG con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-WDFN (3.3x3.3)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10.5 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.1W (Ta), 21W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:23 Weeks
Número de pieza del fabricante:NVTFS4823NTAG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 13A (Ta) 3.1W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios