NVMFS6B14NLT1G
NVMFS6B14NLT1G
Número de pieza:
NVMFS6B14NLT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15699 Pieces
Ficha de datos:
NVMFS6B14NLT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs:13 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 94W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:NVMFS6B14NLT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:29 Weeks
Número de pieza del fabricante:NVMFS6B14NLT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1680pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 11A (Ta), 55A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 55A (Tc)
Email:[email protected]

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