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NVMFD5873NLWFT1G
- Número de pieza:
- NVMFD5873NLWFT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17296 Pieces
- Ficha de datos:
- NVMFD5873NLWFT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NVMFD5873NLWFT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NVMFD5873NLWFT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 13 mOhm @ 15A, 10V |
| Potencia - Max: | 3.1W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NVMFD5873NLWFT1G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1560pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 30.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A |
| Email: | [email protected] |
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