NVD5802NT4G-VF01
NVD5802NT4G-VF01
Número de pieza:
NVD5802NT4G-VF01
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16209 Pieces
Ficha de datos:
NVD5802NT4G-VF01.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4.4 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:NVD4856NT4G-VF01
NVD5802NT4G
NVD5802NT4G-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:34 Weeks
Número de pieza del fabricante:NVD5802NT4G-VF01
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5300pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 16.4A (Ta), 101A (Tc) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16.4A (Ta), 101A (Tc)
Email:[email protected]

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