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NUP8010MNT1G
- Número de pieza:
- NUP8010MNT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TVS DIODE 3VWM 13VC DFN8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19756 Pieces
- Ficha de datos:
- NUP8010MNT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NUP8010MNT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NUP8010MNT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - separación inverso (típico): | 3V (Max) |
|---|---|
| Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp: | 13V |
| Voltaje - Desglose (Min): | 5.3V |
| Canales unidireccionales: | 6 |
| Tipo: | Zener |
| Paquete del dispositivo: | 8-DFN (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| Protección de la línea eléctrica: | No |
| Potencia - Pico de pulso: | 20W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-VFDFN Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NUP8010MNT1G |
| Descripción: | TVS DIODE 3VWM 13VC DFN8 |
| Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs): | 1.6A (8/20µs) |
| Capacitancia Frecuencia: | 13pF @ 1MHz |
| aplicaciones: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
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