NTTFS5811NLTWG
NTTFS5811NLTWG
Número de pieza:
NTTFS5811NLTWG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18937 Pieces
Ficha de datos:
NTTFS5811NLTWG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-WDFN (3.3x3.3)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:6.4 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.7W (Ta), 33W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTTFS5811NLTWG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1570pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:31nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 17A (Ta), 53A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Ta), 53A (Tc)
Email:[email protected]

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