NTTD1P02R2
NTTD1P02R2
Número de pieza:
NTTD1P02R2
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
17303 Pieces
Ficha de datos:
NTTD1P02R2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.4V @ 250µA
Paquete del dispositivo:Micro8™
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:160 mOhm @ 1.45A, 4.5V
Potencia - Max:500mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Otros nombres:NTTD1P02R2OS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTTD1P02R2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:265pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.45A 500mW Surface Mount Micro8™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.45A
Email:[email protected]

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