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NTSB20120CTT4G
- Número de pieza:
- NTSB20120CTT4G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14865 Pieces
- Ficha de datos:
- NTSB20120CTT4G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTSB20120CTT4G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTSB20120CTT4G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 10A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 120V |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK-3 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTSB20120CTT4G |
| Descripción ampliada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| configuración de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V D2PAK |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 12µA @ 90V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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