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NTS10100EMFST1G
- Número de pieza:
- NTS10100EMFST1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12694 Pieces
- Ficha de datos:
- NTS10100EMFST1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTS10100EMFST1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTS10100EMFST1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 720mV @ 10A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 33 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NTS10100EMFST1G |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 100V 10A Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 50µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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