NTR3C21NZT1G
NTR3C21NZT1G
Número de pieza:
NTR3C21NZT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12450 Pieces
Ficha de datos:
NTR3C21NZT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:24 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):470mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:5 Weeks
Número de pieza del fabricante:NTR3C21NZT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1540pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17.8nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 3.6A (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.6A (Ta)
Email:[email protected]

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