NTQS6463R2
Número de pieza:
NTQS6463R2
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
14584 Pieces
Ficha de datos:
NTQS6463R2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:900mV @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-TSSOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 6.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):930mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres:NTQS6463R2OS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTQS6463R2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:50nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 6.8A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.8A (Ta)
Email:[email protected]

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