NTP75N03L09G
NTP75N03L09G
Número de pieza:
NTP75N03L09G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15305 Pieces
Ficha de datos:
NTP75N03L09G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:8 mOhm @ 37.5A, 5V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 125W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:NTP75N03L09GOS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTP75N03L09G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5635pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:75nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 75A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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