NTMFS4854NST1G
Número de pieza:
NTMFS4854NST1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13117 Pieces
Ficha de datos:
NTMFS4854NST1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SO-8FL
Serie:SENSEFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.5 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):900mW (Ta), 86.2W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTMFS4854NST1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4830pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:85nC @ 11.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 15.2A (Ta), 149A (Tc) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Surface Mount SO-8FL
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15.2A (Ta), 149A (Tc)
Email:[email protected]

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