NTMFS4839NHT3G
NTMFS4839NHT3G
Número de pieza:
NTMFS4839NHT3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16746 Pieces
Ficha de datos:
NTMFS4839NHT3G.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTMFS4839NHT3G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTMFS4839NHT3G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar NTMFS4839NHT3G con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5.5 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):870mW (Ta), 42.4W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN, 5 Leads
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTMFS4839NHT3G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2354pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:43.5nC @ 11.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 9.5A (Ta), 64A (Tc) 870mW (Ta), 42.4W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.5A (Ta), 64A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios