Comprar NTJS4405NT1 con BYCHPS
Compre con garantía
NTJS4405NT1
- Número de pieza:
- NTJS4405NT1
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 12359 Pieces
- Ficha de datos:
- NTJS4405NT1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTJS4405NT1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTJS4405NT1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 350 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 630mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTJS4405NT1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 25V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NTJS4405NT1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
FQB5N60CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK | Investigación |
 |
NTJS4405NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | Investigación |
|
NTJS4405NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | Investigación |
|
NTJS4405NT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | Investigación |
|
NTJS4160NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 | Investigación |
|
NTJS4151PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 | Investigación |
 |
APT38N60SC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK | Investigación |
 |
FQD13N10LTM_NBEL001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | Investigación |
|
NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 | Investigación |
 |
IXFH15N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 | Investigación |
 |
RSS105N03FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog