NTJS3157NT4G
NTJS3157NT4G
Número de pieza:
NTJS3157NT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12062 Pieces
Ficha de datos:
NTJS3157NT4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:60 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTJS3157NT4G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.2A (Ta)
Email:[email protected]

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