NTHC5513T1
NTHC5513T1
Número de pieza:
NTHC5513T1
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12165 Pieces
Ficha de datos:
NTHC5513T1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:ChipFET™
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Potencia - Max:1.1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:NTHC5513T1OS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTHC5513T1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:180pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A, 2.2A
Email:[email protected]

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