NTD95N02R
NTD95N02R
Número de pieza:
NTD95N02R
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12928 Pieces
Ficha de datos:
NTD95N02R.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.25W (Ta), 86W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTD95N02R
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:21nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 24V 12A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 86W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:24V
Descripción:MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 32A (Tc)
Email:[email protected]

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