Comprar NTD80N02T4 con BYCHPS
Compre con garantía
NTD80N02T4
- Número de pieza:
- NTD80N02T4
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 12978 Pieces
- Ficha de datos:
- NTD80N02T4.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTD80N02T4, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTD80N02T4 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DPAK |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 5.8 mOhm @ 80A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 75W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | NTD80N02T4OSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTD80N02T4 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2600pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 42nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 24V 80A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 24V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NTD80N02T4
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD80N02 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | Investigación |
 |
IXTT110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | Investigación |
|
NTD80N02T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | Investigación |
 |
SSM3J56ACT,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3 | Investigación |
 |
NTD80N02-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK | Investigación |
 |
BUK6207-55C,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 90A DPAK | Investigación |
|
NTD80N02G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | Investigación |
|
NTD80N02-001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK | Investigación |
 |
FQD13N06LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A DPAK | Investigación |
 |
CSD16409Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog