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NTD65N03R-001
NTD65N03R-001
Número de pieza:
NTD65N03R-001
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
18880 Pieces
Ficha de datos:
NTD65N03R-001.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:8.4 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.3W (Ta), 50W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTD65N03R-001
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 9.5A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.5A (Ta), 32A (Tc)
Email:[email protected]

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