Comprar NTD6414AN-1G con BYCHPS
Compre con garantía
NTD6414AN-1G
- Número de pieza:
- NTD6414AN-1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 32A IPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12532 Pieces
- Ficha de datos:
- NTD6414AN-1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTD6414AN-1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTD6414AN-1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I-Pak |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 37 mOhm @ 32A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 100W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Otros nombres: | NTD6414AN-1G-ND NTD6414AN-1GOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTD6414AN-1G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1450pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 32A (Tc) 100W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 32A IPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NTD6414AN-1G
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD6415AN-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A IPAK | Investigación |
|
NTD6416AN-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 17A IPAK | Investigación |
 |
NTD6416ANLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK | Investigación |
|
NTD6416ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | Investigación |
|
NTD6414ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK | Investigación |
|
NTD6416ANL-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A IPAK | Investigación |
 |
IRLI620G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP | Investigación |
|
NTD6415ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK | Investigación |
|
NTD6415ANLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK | Investigación |
 |
PSMN050-80PS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers