Comprar NTD60N02RG con BYCHPS
Compre con garantía
NTD60N02RG
- Número de pieza:
- NTD60N02RG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15888 Pieces
- Ficha de datos:
- NTD60N02RG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTD60N02RG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTD60N02RG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DPAK |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10.5 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.25W (Ta), 58W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTD60N02RG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1330pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 25V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.5A (Ta), 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NTD60N02RG
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD60N02R-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK | Investigación |
 |
NTD60N02RT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK | Investigación |
|
NTD60N02R-035 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK | Investigación |
 |
NTD60N03-001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 28V 60A IPAK | Investigación |
|
NTD60N02RT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK | Investigación |
|
NTD60N02R | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK | Investigación |
|
NTD60N02R-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK | Investigación |
|
NTD60N03T4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 28V 60A DPAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog