Comprar NTD50N03R-35G con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | I-Pak |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 12 mOhm @ 30A, 11.5V |
La disipación de energía (máximo): | 1.5W (Ta), 50W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | NTD50N03R-35G |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 12V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 15nC @ 11.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 25V 7.8A (Ta), 45A (Tc) 1.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-Pak |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V |
Descripción: | MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.8A (Ta), 45A (Tc) |
Email: | [email protected] |