Comprar NTD4909NA-35G con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.2V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | I-Pak |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 8 mOhm @ 30A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | - |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Temperatura de funcionamiento: | - |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | NTD4909NA-35G |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1314pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 17.5nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) Through Hole I-Pak |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.8A (Ta), 41A (Tc) |
Email: | [email protected] |