NTD4855N-35G
NTD4855N-35G
Número de pieza:
NTD4855N-35G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 14A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16751 Pieces
Ficha de datos:
NTD4855N-35G.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTD4855N-35G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTD4855N-35G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar NTD4855N-35G con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4.3 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTD4855N-35G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2950pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:32.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 14A (Ta), 98A (Tc) 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 14A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Ta), 98A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios