NTD20N03L27
NTD20N03L27
Número de pieza:
NTD20N03L27
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
15218 Pieces
Ficha de datos:
NTD20N03L27.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:27 mOhm @ 10A, 5V
La disipación de energía (máximo):1.75W (Ta), 74W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTD20N03L27
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1260pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 20A (Ta) 1.75W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

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