NSVMMUN2113LT3G
NSVMMUN2113LT3G
Número de pieza:
NSVMMUN2113LT3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12517 Pieces
Ficha de datos:
NSVMMUN2113LT3G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):47k
Potencia - Max:246mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:NSVMMUN2113LT3G
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descripción:TRANS PREBIAS PNP SOT23-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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