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NSVMMBD354LT1G
- Número de pieza:
- NSVMMBD354LT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 7V CC DUAL SOT23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13529 Pieces
- Ficha de datos:
- NSVMMBD354LT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NSVMMBD354LT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NSVMMBD354LT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 7V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | - |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| La disipación de energía (máximo): | 300mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 2 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NSVMMBD354LT1G |
| Descripción ampliada: | RF Diode Schottky - 1 Pair Common Cathode 7V 300mW SOT-23-3 (TO-236) |
| Tipo de diodo: | Schottky - 1 Pair Common Cathode |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 7V CC DUAL SOT23 |
| Corriente - Max: | - |
| Capacitancia Vr, F: | 1pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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