NSVBC114EPDXV6T1G
NSVBC114EPDXV6T1G
Número de pieza:
NSVBC114EPDXV6T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN/PNP BIAS SOT563
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18615 Pieces
Ficha de datos:
NSVBC114EPDXV6T1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:SOT-563
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):10k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):10k
Potencia - Max:500mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:5 Weeks
Número de pieza del fabricante:NSVBC114EPDXV6T1G
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Descripción:TRANS NPN/PNP BIAS SOT563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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