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NSVBAT54LT1G
- Número de pieza:
- NSVBAT54LT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17203 Pieces
- Ficha de datos:
- NSVBAT54LT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NSVBAT54LT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NSVBAT54LT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 800mV @ 100mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 30V |
| Paquete del dispositivo: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 5ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NSVBAT54LT1G |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 30V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 2µA @ 25V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 200mA (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 10pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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