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NSVB123JPDXV6T1G
- Número de pieza:
- NSVB123JPDXV6T1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18274 Pieces
- Ficha de datos:
- NSVB123JPDXV6T1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NSVB123JPDXV6T1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NSVB123JPDXV6T1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo de transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-563 |
| Serie: | - |
| Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms): | 4.7k |
| Resistencia - Base (R1) (Ohms): | 2.2k |
| Potencia - Max: | 500mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NSVB123JPDXV6T1G |
| Frecuencia - Transición: | - |
| Descripción ampliada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| Descripción: | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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