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NSTJD1155LT1G
- Número de pieza:
- NSTJD1155LT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13854 Pieces
- Ficha de datos:
- NSTJD1155LT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NSTJD1155LT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NSTJD1155LT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | - |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | - |
| Potencia - Max: | - |
| embalaje: | - |
| Paquete / Cubierta: | - |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NSTJD1155LT1G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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