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NSS40300DDR2G
- Número de pieza:
- NSS40300DDR2G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17508 Pieces
- Ficha de datos:
- NSS40300DDR2G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NSS40300DDR2G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NSS40300DDR2G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 40V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 170mV @ 200mA, 2A |
| Tipo de transistor: | 2 PNP (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 653mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NSS40300DDR2G |
| Frecuencia - Transición: | 100MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC |
| Descripción: | TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 180 @ 1A, 2V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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