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NSR10F30QNXT5G
- Número de pieza:
- NSR10F30QNXT5G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19601 Pieces
- Ficha de datos:
- NSR10F30QNXT5G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NSR10F30QNXT5G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NSR10F30QNXT5G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 470mV @ 1A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 30V |
| Paquete del dispositivo: | 2-DSN (1.4x0.6) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 2-XDFN |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NSR10F30QNXT5G |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 30V 1A (DC) Surface Mount 2-DSN (1.4x0.6) |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100µA @ 30V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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