NSM11156DW6T1G - ON Semiconductor - Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas NSM11156DW6T1G

NSM11156DW6T1G

Número de pieza:: NSM11156DW6T1G

Fabricante:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Descripción:: TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 15244 Pieces

Ficha de datos:: NSM11156DW6T1G.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	50V, 65V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:	250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor:	1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
Paquete del dispositivo:	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:	-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):	10k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):	10k
Potencia - Max:	230mW
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	NSM11156DW6T1G
Frecuencia - Transición:	-
Descripción ampliada:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descripción:	TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):	500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

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Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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	PBLS1504V,115	NXP USA Inc.	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666	Investigación

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