NRVUD320W1T4G-VF01
NRVUD320W1T4G-VF01
Número de pieza:
NRVUD320W1T4G-VF01
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 200V 3A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17990 Pieces
Ficha de datos:
NRVUD320W1T4G-VF01.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:950mV @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):200V
Paquete del dispositivo:DPAK
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr):35ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:NRVUD320W1T4G
NRVUD320W1T4G-ND
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NRVUD320W1T4G-VF01
Descripción ampliada:Diode Standard 200V 3A Surface Mount DPAK
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 200V 3A DPAK
Corriente - Fuga inversa a Vr:5µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io):3A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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