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NRVBM130LT1G
- Número de pieza:
- NRVBM130LT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A POWERMITE
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14437 Pieces
- Ficha de datos:
- NRVBM130LT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NRVBM130LT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NRVBM130LT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 520mV @ 3A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 30V |
| Paquete del dispositivo: | Powermite |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-216AA |
| Otros nombres: | NRVBM130LT1G-ND NRVBM130LT1GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 2 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NRVBM130LT1G |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 30V 1A Surface Mount Powermite |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 30V 1A POWERMITE |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 50µA @ 10V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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