NJVMJD31CT4G-VF01
NJVMJD31CT4G-VF01
Número de pieza:
NJVMJD31CT4G-VF01
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN 100V 3A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19605 Pieces
Ficha de datos:
NJVMJD31CT4G-VF01.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:1.2V @ 375mA, 3A
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:-
Potencia - Max:1.56W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:NJVMJD31CT4G
NJVMJD31CT4G-ND
NJVMJD31CT4G-VF01OSTR
NJVMJD31CT4GOSTR
NJVMJD31CT4GOSTR-ND
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:NJVMJD31CT4G-VF01
Frecuencia - Transición:3MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK
Descripción:TRANS NPN 100V 3A DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:25 @ 1A, 4V
Corriente - corte del colector (Max):50µA
Corriente - colector (Ic) (Max):3A
Email:[email protected]

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