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NJVBDX53C
- Número de pieza:
- NJVBDX53C
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 13705 Pieces
- Ficha de datos:
- NJVBDX53C.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NJVBDX53C, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NJVBDX53C por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 100V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 2V @ 12mA, 3A |
| Tipo de transistor: | NPN - Darlington |
| Paquete del dispositivo: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 65W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | NJVBDX53C |
| Frecuencia - Transición: | - |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 65W Through Hole TO-220AB |
| Descripción: | TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 750 @ 3A, 3V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500µA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
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