NIF9N05CLT1
NIF9N05CLT1
Número de pieza:
NIF9N05CLT1
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12215 Pieces
Ficha de datos:
NIF9N05CLT1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:125 mOhm @ 2.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.69W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:NIF9N05CLT1OSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante:NIF9N05CLT1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 35V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 52V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:52V
Descripción:MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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