NGTB40N65IHL2WG
NGTB40N65IHL2WG
Número de pieza:
NGTB40N65IHL2WG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
IGBT 650V 40A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13135 Pieces
Ficha de datos:
NGTB40N65IHL2WG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.2V @ 15V, 40A
Condición de prueba:400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:-/140ns
Cambio de Energía:360µJ (off)
Paquete del dispositivo:TO-247-3
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):465ns
Potencia - Max:300W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:NGTB40N65IHL2WG-ND
NGTB40N65IHL2WGOS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:5 Weeks
Número de pieza del fabricante:NGTB40N65IHL2WG
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
puerta de carga:135nC
Descripción ampliada:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 300W Through Hole TO-247-3
Descripción:IGBT 650V 40A TO-247
Corriente - Colector Pulsada (ICM):160A
Corriente - colector (Ic) (Max):80A
Email:[email protected]

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