NGTB30N120L2WG
NGTB30N120L2WG
Número de pieza:
NGTB30N120L2WG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
IGBT 1200V 60A 534W TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12457 Pieces
Ficha de datos:
NGTB30N120L2WG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:1.9V @ 15V, 30A
Condición de prueba:600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:116ns/285ns
Cambio de Energía:4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Paquete del dispositivo:TO-247
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):450ns
Potencia - Max:534W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:NGTB30N120L2WGOS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:NGTB30N120L2WG
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
puerta de carga:310nC
Descripción ampliada:IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 534W Through Hole TO-247
Descripción:IGBT 1200V 60A 534W TO247
Corriente - Colector Pulsada (ICM):120A
Corriente - colector (Ic) (Max):60A
Email:[email protected]

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