NGTB10N60R2DT4G
NGTB10N60R2DT4G
Número de pieza:
NGTB10N60R2DT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
IGBT 10A 600V DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18980 Pieces
Ficha de datos:
NGTB10N60R2DT4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 10A
Condición de prueba:300V, 10A, 30 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:48ns/120ns
Cambio de Energía:412µJ (on), 140µJ (off)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):90ns
Potencia - Max:72W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:NGTB10N60R2DT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:NGTB10N60R2DT4G
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
puerta de carga:53nC
Descripción ampliada:IGBT 600V 20A 72W Surface Mount DPAK
Descripción:IGBT 10A 600V DPAK
Corriente - Colector Pulsada (ICM):40A
Corriente - colector (Ic) (Max):20A
Email:[email protected]

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