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NESG7030M04-A
- Número de pieza:
- NESG7030M04-A
- Fabricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descripción:
- DISCRETE RF DIODE
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13575 Pieces
- Ficha de datos:
- NESG7030M04-A.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NESG7030M04-A, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NESG7030M04-A por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 4.3V |
|---|---|
| Tipo de transistor: | NPN |
| Paquete del dispositivo: | M04 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 125mW |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SOT-343F |
| Otros nombres: | NESG7030M04A |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| La figura de ruido (dB Typ @ f): | 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NESG7030M04-A |
| Ganancia: | 14dB ~ 21dB |
| Frecuencia - Transición: | 5.8GHz |
| Descripción ampliada: | RF Transistor NPN 4.3V 30mA 5.8GHz 125mW Surface Mount M04 |
| Descripción: | DISCRETE RF DIODE |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 5mA, 2V |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
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