NE851M13-T3-A - CEL - Transistores-bipolar (BJT)-RF NE851M13-T3-A

NE851M13-T3-A

Número de pieza:: NE851M13-T3-A

Fabricante:: CEL (California Eastern Laboratories)

Descripción:: TRANS NPN LOW PRO M13 SMD

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 17357 Pieces

Ficha de datos:: 1.NE851M13-T3-A.pdf 2.NE851M13-T3-A.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	5.5V
Tipo de transistor:	NPN
Paquete del dispositivo:	M13
Serie:	-
Potencia - Max:	140mW
embalaje:	Original-Reel®
Paquete / Cubierta:	SOT-3
Otros nombres:	NE851M13-T3-ADKR
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f):	1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	NE851M13-T3-A
Ganancia:	4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ
Frecuencia - Transición:	4.5GHz
Descripción ampliada:	RF Transistor NPN 5.5V 100mA 4.5GHz 140mW Surface Mount M13
Descripción:	TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	100 @ 5mA, 1V
Corriente - colector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

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