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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > NE58219-T1-A
NE58219-T1-A
NE58219-T1-A
Número de pieza:
NE58219-T1-A
Fabricante:
CEL (California Eastern Laboratories)
Descripción:
TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12540 Pieces
Ficha de datos:
NE58219-T1-A.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):12V
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:3-SuperMiniMold (19)
Serie:-
Potencia - Max:100mW
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:SC-75, SOT-416
Otros nombres:NE58219-T1-ADKR
Temperatura de funcionamiento:125°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f):-
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NE58219-T1-A
Ganancia:-
Frecuencia - Transición:5GHz
Descripción ampliada:RF Transistor NPN 12V 60mA 5GHz 100mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (19)
Descripción:TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max):60mA
Email:[email protected]

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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