NE5550779A-A - CEL - Transistores-FETs, MOSFETs-RF NE5550779A-A

NE5550779A-A

Número de pieza:: NE5550779A-A

Fabricante:: CEL (California Eastern Laboratories)

Descripción:: FET RF 30V 900MHZ 79A

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 14424 Pieces

Ficha de datos:: NE5550779A-A.pdf

Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NE5550779A-A, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NE5550779A-A por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.

Comprar NE5550779A-A con BYCHPS

Compre con garantía

Especificaciones

Voltaje - Prueba:	7.5V
Tensión - Calificación:	30V
Tipo de transistor:	LDMOS
Paquete del dispositivo:	79A
Serie:	-
Alimentación - Salida:	38.5dBm
embalaje:	Bulk
Paquete / Cubierta:	4-SMD, Flat Leads
Figura de ruido:	-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	NE5550779A-A
Ganancia:	22dB
Frecuencia:	900MHz
Descripción ampliada:	RF Mosfet LDMOS 7.5V 140mA 900MHz 22dB 38.5dBm 79A
Descripción:	FET RF 30V 900MHZ 79A
Valoración actual:	2.1A
Corriente - Prueba:	140mA
Email:	[email protected]

partes relacionadas de NE5550779A-A

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
NE5550234-AZ	CEL	FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD	Investigación
NE5550979A-T1-A	CEL	FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG	Investigación
NE5550279A-A	CEL	FET RF 30V 900MHZ 79A	Investigación
NE5550979A-A	CEL	FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG	Investigación
NE5550779A-T1-A	CEL	FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG	Investigación
NE5550234-T1-AZ	CEL	FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD	Investigación
NE5550279A-T1-A	CEL	FET RF 30V 900MHZ 79A	Investigación
NPT1010B	M/A-Com Technology Solutions	HEMT N-CH 28V 100W DC-2000MHZ	Investigación
PTFA181001HL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2	Investigación

Introducción

Especificaciones

Solicitud de Cotización rápida

Latest Noticias