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NE5517DR2
- Número de pieza:
- NE5517DR2
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 13433 Pieces
- Ficha de datos:
- NE5517DR2.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NE5517DR2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NE5517DR2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Alimentación de voltaje, simple / doble (±): | 4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V |
|---|---|
| Voltaje - Offset de entrada: | 400µV |
| Paquete del dispositivo: | 16-SOIC |
| Velocidad de subida: | 50 V/µs |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tipo de salida: | Push-Pull |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C |
| Número de circuitos: | 2 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NE5517DR2 |
| Producto ganancia-ancho: | 2MHz |
| Descripción ampliada: | Transconductance Amplifier 2 Circuit Push-Pull 16-SOIC |
| Descripción: | IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16SOIC |
| Suministro de corriente: | 2.6mA |
| Corriente - Salida / Canal: | 650µA |
| Corriente - polarización de entrada: | 400nA |
| Tipo amplificador: | Transconductance |
| Ancho de banda de -3 dB: | - |
| Email: | [email protected] |
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